氧化鋅廠新發現,由于N受主和反應施主共摻雜之間的劇烈作用,氮和反應施主的共摻雜會下降其在能帶中的受主能級方位。DOS(態密度)峰向價帶頂的移動暗示著受主能級的下降。和作為受主的Li共摻雜或許和作為活性施主的F共摻雜,可以制備低電阻率的P型氧化鋅。
氧化鋅廠對ZnO中Ga和N溶解度約束的研討標明,比較于N摻雜的ZnO,氮在共摻雜ZnO中的溶解度可以增強400倍(by a factor of)。運用共摻雜法,Joseph等[463]運用帶有等離子源的PLD體系成功制備了所謂的P型氧化鋅薄膜。關于Ga和N的共摻雜,已然N2O能既能有用按捺氧空位,一同又能引入氮作為受主。Hall 和Seebeck系數測量法驗證了它的P型導電功用,電阻率為0.5Ωcm,載流子濃度為5×1019 cm?3,和很低的載流子遷移率0.07 cm2 /V s。這么低的載流子遷移率讓我們對P型導電性發作懷疑。它也標明在共摻雜技術中,非平衡態成長進程時必需求低溫。雖然在共摻雜的氧化鋅薄膜中觀察到了P型導電功用,但由于短少表征,例如共摻雜中Ga和N在禁帶中的施主和受主能級方位,所以P型特征的來歷并不理解。
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